本發(fā)明公開了屬于新型半導體器件和納米電子器件領域的一種基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二極管。采用應變SiGe層做空穴量子阱,用Si做空穴勢壘,形成空穴的雙勢壘單量子阱結構。用高摻雜P型Si作襯底,在此樹底上采用化學氣相淀積方法或分子束外延等方法依次淀積上未摻雜的SiGe層、Si層、SiGe層、Si層、SiGe層及重摻雜的P型Si形成的臺面結構,并分別在襯底上和臺面結構上形成的電極。實驗證明在室溫下對樣品進行電流電壓特性測試能夠觀察到明顯的微分負阻現(xiàn)象。制作工藝與當前主流的Si半導體平面工藝相兼容,能夠更有效地提高集成電路的集成度。
聲明:
“基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二極管” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)