本發(fā)明屬于
納米材料技術領域,具體涉及一種碲化鉛納米線薄膜及其制備方法與應用。該碲化鉛納米線薄膜采用無模板
電化學原子層沉積法進行制備,具體包括以下步驟:以氫氧化鈉溶液為溶劑,配制二氧化碲溶液和硝酸鉛溶液;采用磁控濺射設備于二氧化硅片上鍍金,制得金襯底;將二氧化碲溶液和硝酸鉛溶液以體積比2:3分別倒入電解池匯總,采用電化學工作站和三電極體系在金襯底上進行恒電位沉積實驗,鉛原子和碲原子逐層生長,制得單晶碲化鉛納米線薄膜。該方法操作簡單,無需大型設備,在制備碲化鉛納米線時無需采用模板,節(jié)約了模板成本,并且利用該方法制備的碲化鉛納米線制作光電探測器,該光電探測器具有較高的響應度,探測率及響應速度。
聲明:
“碲化鉛納米線薄膜及其制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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