本發(fā)明的實施例改進基底的平坦度,其中基底的平坦度對于圖案化和良率的提升相當?shù)闹匾?。在達到最終厚度或研磨所有的薄膜之前,使用化學機械研磨法平坦化基底。之后測量基底的輪廓和薄膜厚度,氣體團簇離子束(gas?cluster?ion?beam,GCIB)蝕刻裝置使用測量到的基底輪廓和薄膜厚度數(shù)據(jù),決定在特定的位置要移除多少薄膜。氣體團簇離子束蝕刻移除最終的層,使其符合基底均勻度和厚度目標的需求。此機制改進平坦度,以符合先進技術的需求。
聲明:
“平坦化基底的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)