一種納米級顆粒模擬基片再加工方法,包括:提供顆粒模擬基片,所述顆粒模擬基片包括:襯底,位于襯底表面的熱氧化層,所述熱氧化層具有測試表面;沿所述測試表面對所述熱氧化層進行化學(xué)機械拋光,使得拋光后的所述測試表面的顆粒數(shù)量小于100。本發(fā)明的基片再加工方法節(jié)約生產(chǎn)成本。
聲明:
“納米級顆粒模擬基片再加工方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)