本專利涉及金屬氧化物核殼納米片陣列電極材料的制備方法,所得的四氧化三鈷納米片骨架具有較好的平行多層結(jié)構(gòu)和取向性,復(fù)合后的材料具有海綿體的多孔結(jié)構(gòu),且保持了骨架原有的有規(guī)律取向,與普通相互交叉片不同,近乎平行的納米片提供了長(zhǎng)程有序、穩(wěn)定統(tǒng)一的導(dǎo)電路徑,有利于電子的順利傳遞。核殼材料的厚度為200?500?nm,殼層厚度為5?15?nm,適當(dāng)?shù)臍雍穸?、多孔結(jié)構(gòu)和垂直生長(zhǎng),使得核材料的
電化學(xué)特性得到充分發(fā)揮,電化學(xué)測(cè)試結(jié)果表明,在電流密度為0.5?A·g
?1時(shí),單電極比容量為715?F·g
?1,當(dāng)電流密度增大到8?A·g
?1時(shí),比容量的保持率為72%。
聲明:
“金屬氧化物核殼納米片陣列電極材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)