本發(fā)明公開了一種半導體單晶硅晶棒及硅片參考面的加工方法,首先在晶棒上截取樣片,將樣片進行表面化學各項異性腐蝕、清洗后烘干;觀察表面腐蝕形狀;根據(jù)不同晶向的形狀和方位在樣片上標記出主參考面的指示線;將帶有定位線和主參考面指示線的樣片與原有晶棒進行位置比對,標記出晶棒上主參考面的指示線;利用晶向測試儀,在單晶硅晶棒指示線附近查找主參考面<110>晶向峰值,準確確定位置并做好標記并進行參考面加工。硅片直接在表面進行化學各項異性腐蝕及后續(xù)的處理即可。本發(fā)明充分利用晶體各向異性在化學腐蝕中的反應速率差異形成腐蝕形狀來判定單晶硅及硅片主參考面位置,具有判斷準確,操作簡單,且易于產業(yè)化實現(xiàn)。
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