公開了一種晶片清洗方法,其包括將清潔水供給用化學(xué)溶液清洗的晶片(2),測量包括化學(xué)溶液和清潔水的溶液(6)的電阻率,并將該測量值對時間微分,以及用清潔水持續(xù)清洗晶片(2),直到電阻率的時間微分值等于或小于預(yù)定值,并在該預(yù)定值保持預(yù)定時間。
聲明:
“晶片清洗方法與設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)