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高度取向納米羥基磷灰石晶體陣列的制備方法

1079   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:11:50
本發(fā)明涉及一種高度取向納米羥基磷灰石晶體陣列的制備方法,其步驟如下:(1)將經(jīng)過清洗干凈的基底材料浸入到熱堿溶液中,熱堿溶液處理一定時間后,取出基體材料并用去離子水清洗,烘干;(2)將烘干的基底材料浸入到鈣鹽溶液中,反應(yīng)一定時間后取出,不經(jīng)清洗直接烘干;(3)將再次烘干的基底材料垂直浸入到磷酸鹽溶液中,在一定pH下,一定溫度下保溫一定時間,將基底材料取出用去離子水清洗,烘干,得到高度取向的納米羥基磷灰石晶體陣列。本發(fā)明通過改變化學條件實現(xiàn)了納米羥基磷灰石晶體陣列的形成及其結(jié)構(gòu)控制,工藝穩(wěn)定,成本低廉,能實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。本發(fā)明在材料表面改性、生物信息檢測及疾病診斷等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用價值。
聲明:
“高度取向納米羥基磷灰石晶體陣列的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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