本發(fā)明公開一種用于碳化硅器件的自對(duì)準(zhǔn)方法,包括如下步驟:在晶圓上制備裸露的溝道和溝槽;在溝槽的底部和側(cè)壁以及溝道表面沉積一層第一介質(zhì)層,且第一介質(zhì)層的材質(zhì)中含有干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)指示元素;在第一介質(zhì)層表面沉積一層第二介質(zhì)層,以覆蓋溝槽的底部和側(cè)壁以及溝道表面;在對(duì)應(yīng)溝槽處的第二介質(zhì)層表面覆蓋光刻膠,以填充溝槽內(nèi)的空隙,使得光刻膠裸露的表面與對(duì)應(yīng)溝道處的第二介質(zhì)層表面齊平;采用干法刻蝕去除對(duì)應(yīng)溝道處的第二介質(zhì)層和第一介質(zhì)層,使得溝道表面裸露;在裸露的溝道表面形成一層上表面金屬電極。所述自對(duì)準(zhǔn)方法能夠避免在第一介質(zhì)層表面沉積厚度較大的第二介質(zhì)層;不受化學(xué)機(jī)械研磨方法或干法刻蝕的專門設(shè)備的限制。
聲明:
“用于碳化硅器件的自對(duì)準(zhǔn)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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