一種納米金剛石?
石墨烯復(fù)合薄膜,其制備方法為:將金剛石粉末和丙三醇混合,分散均勻,得到金剛石粉研磨膏,用其打磨單晶硅片,之后將硅片清洗,吹干,完成種晶過程;之后將硅片放入熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備,以丙酮為碳源,采用氫氣鼓泡方式將丙酮帶入到反應(yīng)室中進(jìn)行薄膜生長(zhǎng),完成納米金剛石?石墨烯復(fù)合薄膜的制備;本發(fā)明制得的NCD?G的復(fù)合膜,具有較高的穩(wěn)定性和耐蝕性,且具有相對(duì)快速的電子轉(zhuǎn)移速率,該薄膜背景電流極低,電勢(shì)窗口極寬,有望應(yīng)用于極端環(huán)境下的痕量檢測(cè)電極領(lǐng)域。
聲明:
“納米金剛石-石墨烯復(fù)合薄膜電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)