本申請公開了一種半導(dǎo)體的加工方法,包括以下步驟:(1)晶圓處理制程,先將晶圓適當(dāng)清洗,再進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積,然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入和金屬濺鍍,最后完成數(shù)層電路及元件加工與制作;(2)晶圓針測制程,用針測儀對晶圓的每個晶粒檢測其電氣特性;(3)構(gòu)裝,將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的
芯片基座上,并把晶粒上蝕刻出的引接線端與基座底部伸出的插腳連接,封膠,最后蓋上塑膠蓋板,用膠水封死;(4)測試制程,將封裝后的芯片置于測試裝置的模擬環(huán)境下測試其電氣特性,包括消耗功率、運(yùn)行速度和耐壓度,經(jīng)測試后的芯片,依其電氣特性劃分為不同等級。
聲明:
“半導(dǎo)體的加工方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)