本發(fā)明公開(kāi)了一種MEMS紅外光源及其制備方法,通過(guò)MEMS加工技術(shù),制備出適合氣體檢測(cè)的MEMS紅外光源,包括如下步驟:1)在雙面拋光的單晶硅襯底上,利用干法氧化的方法,在兩面形成致密的氧化硅薄膜,隨后以化學(xué)氣相沉積的方式在正面生長(zhǎng)氮化硅薄膜;2)在氮化硅薄膜上,以磁控濺射的方式生長(zhǎng)電極連接層Ti和電極層Pt;3)以MEMS加工工藝中的光刻、刻蝕等方法,圖形化出加熱電極;4)以反應(yīng)離子刻蝕的方式,去除多余的氧化硅和氮化硅;5)以干法刻蝕和濕法刻蝕相結(jié)合的方式,形成懸空結(jié)構(gòu)。本發(fā)明制備的MEMS紅外光源工藝簡(jiǎn)單,成本低,易于批量化生產(chǎn),適用于便攜式、微型化的氣敏檢測(cè)系統(tǒng)。
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“MEMS紅外光源及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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