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銻化鎵晶片雙面拋光方法

662 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 07:54:09

一種銻化鎵晶片雙面拋光方法，它包括以下步驟：晶片測厚分組；晶片初次清洗；粘片；背面拋光；卸片；粘片及正面拋光；晶片二次清洗；將經過雙面拋光的晶片放在用清洗液和純水配制成體積比1∶(3～10)的溶液中用超聲波清洗，清洗溫度為50～100℃，清洗時間為10～30分鐘，而后用純水沖洗；化學腐蝕：用CH3COOH、H2O、HF以體積比(10～30)∶(5～15)∶1的比例配制成腐蝕液；檢驗包裝。采用本方法可批量加工銻化鎵(100)雙面拋光片，方法簡單實用，可操作性強，拋光成品率達到90％。同時緩解了銻化鎵晶片拋光后氧化的問題。通過該方法拋光所得銻化鎵拋光晶片翹曲度不大于20μm，晶面平整度不大于4μm，表面粗糙度達到0.1～0.2μm，晶片總厚度變化不大于5μm，拋光片未檢測到沾污、霧、劃道、顆粒、裂、橘皮、鴉爪等缺陷。

聲明：

“銻化鎵晶片雙面拋光方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)