本發(fā)明公開了一種基于掃描電鏡的元素晶界偏析半定量方法,該方法包括樣品制備、并在晶界處進行能譜分析,根據(jù)公示
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得到晶界處的偏析量,其中在晶界處和晶粒內(nèi)的偏析元素固溶值來分別定義
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Nrb是參考元素的位密度,用軟件Casino模擬蒙特卡洛電子軌跡可得到電子束斑直徑d1,可以再根據(jù)公示
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可以得到偏析元素在晶界處的化學寬度。本發(fā)明在掃描電鏡的平臺下實現(xiàn)了晶界偏析的半定量,還具有制樣方便、操作相對容易等優(yōu)點。本發(fā)明方法是通過掃描電鏡在晶界上收集能譜,并從晶界能譜中扣除晶粒的貢獻后,獲得晶界處的化學成分信息,能廣泛應(yīng)用于材料表征技術(shù)領(lǐng)域。
聲明:
“基于掃描電鏡的元素晶界偏析半定量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)