本發(fā)明提供了一種提高低溫陷阱數(shù)量的青色力致發(fā)光材料,屬于材料損傷檢測技術(shù)領(lǐng)域,其化學(xué)通式為Ba
(1?X)Si
(2?Y)O
2N
2:Eu
2+(X)Ga
3+(Y),其中,X的取值范圍為:0.001≤X≤0.25,Y的取值范圍為:0.0001≤Y≤0.1;其陷阱分布范圍為?270℃至400℃。本發(fā)明還提供了上述青色力致發(fā)光材料的制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明的青色力致發(fā)光材料存在?270℃至400℃連續(xù)分布的陷阱能級,特別是?270℃至?70℃的陷阱能級,使用Eu
2+作為光吸收中心,吸收可見光后將能量存儲于電子陷阱中,用于后續(xù)的檢測應(yīng)用,通過引入Ga
3+離子替代Si
4+,形成電荷不平衡取代,可以增加氧缺陷等,增加?270℃至?70℃的極淺能級數(shù)量,提高了低溫下?lián)p傷檢測的靈敏度,擴(kuò)大了應(yīng)力承受范圍,更有利于低溫下的損傷檢測應(yīng)用。
聲明:
“提高低溫陷阱數(shù)量的青色力致發(fā)光材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)