本發(fā)明公開(kāi)了一種基于水蒸氣的二維過(guò)渡金屬硫?qū)倩衔镛D(zhuǎn)移方法,主要解決先現(xiàn)有技術(shù)工藝復(fù)雜且易于化學(xué)污染的問(wèn)題。其實(shí)現(xiàn)方案是:1)使用化學(xué)氣相沉積CVD方法在生長(zhǎng)基片上生長(zhǎng)二維材料薄膜;2)用等離子體激活超薄碳膜Cu網(wǎng)作為目標(biāo)載體;3)利用水蒸氣在二維材料與襯底表面蒸鍍一層水層;4)用酒精將襯底表面的二維材料沖洗到超薄碳膜Cu網(wǎng)表面;5)將超薄碳膜Cu網(wǎng)在熱板上加熱烘干固化,完成從生長(zhǎng)基片到超薄碳膜Cu網(wǎng)的轉(zhuǎn)移。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單靈活,無(wú)需刻蝕犧牲層,耗時(shí)短、效率高,轉(zhuǎn)移過(guò)程中無(wú)化學(xué)污染,可用于推廣以二維過(guò)渡金屬硫?qū)倩衔餅榇淼钠渌S材料的轉(zhuǎn)移和分析過(guò)程中。
聲明:
“基于水蒸氣的二維過(guò)渡金屬硫?qū)倩衔镛D(zhuǎn)移方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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