本發(fā)明公開聚吡咯表面修飾一維硅基氣敏材料及其制備方法,利用化學(xué)刻蝕和二次化學(xué)刻蝕處理單晶硅片,以使單晶硅片表面產(chǎn)生一維硅納米線陣列并進(jìn)行二次刻蝕微結(jié)構(gòu)改性處理;將引發(fā)劑溶液和吡咯單體溶液先后旋涂在經(jīng)步驟2處理的單晶硅片,以使在一維硅納米線陣列中原位引發(fā)吡咯聚合成聚吡咯?;诒景l(fā)明方法,可以使有機(jī)物聚吡咯顆粒在硅納米線表面形成均勻修飾,獲得復(fù)合改性效果顯著的有機(jī)物?一維硅基納米復(fù)合氣敏材料,該敏感材料可以實(shí)現(xiàn)對(duì)NH3氣體在室溫下的瞬時(shí)檢測(cè),并且具有良好的選擇性。
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