本發(fā)明提供的一種高響應(yīng)度的表面增強(qiáng)拉曼散射活性基底及其制備方法,制備包括具有多孔溝壑表面的Ⅲ-Ⅴ半導(dǎo)體基底和分布在所述基底上的Au納米顆粒的表面增強(qiáng)拉曼散射活性基底,包括步驟:對基底表面進(jìn)行刻蝕處理,形成粗糙的表面;通過
電化學(xué)沉積法在具有多孔溝壑結(jié)構(gòu)的基底表面沉積Au納米顆粒。該制備方法不僅方法簡單,成本低廉,易于實(shí)現(xiàn);而且,通過該方法制備的表面增強(qiáng)拉曼散射活性基底中無納米顆粒團(tuán)聚現(xiàn)象,且具有很高的電場強(qiáng)度和光生載流子壽命和較高的拉曼信號強(qiáng)度,從而使其具有較高的重復(fù)利用率和檢測靈敏度,進(jìn)而可以用于超低分子濃度SERS檢測中,使其具有較廣的使用范圍。
聲明:
“表面增強(qiáng)拉曼散射活性基底及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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