本發(fā)明公開了一種納米氫氧化鈷-
石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及應(yīng)用。所述復(fù)合膜,包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層,所述納米石墨烯底層厚度在4000nm至6000nm之間,所述納米氫氧化鈷表層厚度在50nm至100nm之間,所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所述納米石墨烯底層上。其制備方法,包括以下步驟:將氧化石墨烯均勻分散于水中,涂敷在片狀導(dǎo)電基底上,干燥得到納米氧化石墨烯膜;組建三電極體系采用循環(huán)伏安法將氫氧化鈷沉積在納米石墨烯膜表面,干燥。本發(fā)明所提供的方法操作簡(jiǎn)單、環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明提供的復(fù)合薄膜應(yīng)用于納米
電化學(xué)傳感器領(lǐng)域時(shí)可顯著提高特定物質(zhì)的檢測(cè)限和檢測(cè)靈敏度,應(yīng)用前景十分廣闊。
聲明:
“納米氫氧化鈷-石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)