本發(fā)明提供了一種制作擴散阻擋層的方法,該方法包括:在反應腔中通入稀釋性氣體、三甲基
硅烷和氨氣,利用多頻等離子化學氣相沉積在填充于互連槽的銅表面和介質層表面淀積一層擴散阻擋層。采用本發(fā)明的方法,利用多頻等離子化學氣相沉積,縮小了擴散阻擋層的折光指數(shù)的變化范圍,進一步減小了檢測獲得的器件的擊穿電壓的變化范圍。
聲明:
“制作擴散阻擋層的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)