本發(fā)明納米晶石墨/硼摻雜金剛石
復合材料的制備和用途,屬于功能復合結(jié)構及其制備和應用的技術領域。本發(fā)明的技術方案是采用CVD法一步生長納米晶石墨/硼摻雜金剛石(NG/BDD)復合電極,并將其作為
電化學電極,檢測痕量分子。NG的形成是在較高溫度下,在B摻雜的作用下使金剛石(111)面表面發(fā)生重構而成。本發(fā)明BDD的(111)面形成大量NG,增加導電性,提升對檢測物質(zhì)的吸附提高電化學電極的檢測靈敏度,可檢測多種痕量化學和生物分子。本發(fā)明電極制備工藝簡單,便于大規(guī)模制備,并對金剛石傳感器在檢測低濃度和痕量化學和生物分子具有重要意義。
聲明:
“納米晶石墨/硼摻雜金剛石復合材料的制備和用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)