一種在SiC襯底上具有由(0001)-面梯層和(11- 2n)-面臺階[n≥0]構(gòu)成的階梯表面結(jié)構(gòu)的
半導體材料,使用該 半導體材料的半導體器件以及制造該半導體材料的方法,其中 在SiC晶體的外延生長之前,在SiC襯底上形成富-碳表面, 富-碳表面滿足比率R= (I284.5/I282.8)>0.2。其中當通過X-射線光電子能譜分析器 (XPS)測量時,I282.8 (ISiC)是在與化學計量SiC有關(guān) 的結(jié)合能(282.8eV左右)下具有峰值的C1s信號的積分強度, 以及I284.5 (IC)是在與石墨、 SiCx (x>1)或 SiyCH1- y (y<1)有關(guān)的結(jié)合能(284.5eV左右)下具有峰 值的C1s信號的積分強度。
聲明:
“半導體材料、其制造方法以及半導體器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)