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用塵埃等離子體在常溫下沉積碳化硅薄膜的裝置

689   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:31:49
本發(fā)明屬于低溫等離子體化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明由不包含基片的溫度測(cè)控的等離子體輔助沉積碳化硅薄膜的裝置加上塵埃顆粒的監(jiān)控部分組成,其特征是:由激光器和光具組來(lái)照明塵埃顆粒,由記錄設(shè)備和計(jì)算機(jī)來(lái)記錄和分析塵埃顆粒的狀況,沉積碳化硅薄膜的反應(yīng)室設(shè)計(jì)成透明的或開(kāi)一個(gè)以上觀察窗口,用微凹的驅(qū)動(dòng)極,直流負(fù)偏壓電源,從反應(yīng)室外向反應(yīng)室內(nèi)投入塵埃顆粒的部件來(lái)控制塵埃顆粒。本發(fā)明的效果和益處是能克服傳統(tǒng)方法中由于高溫所致的種種缺點(diǎn),能夠在常溫下沉積碳化硅薄膜,可廣泛用于需要沉積碳化硅薄膜的各種領(lǐng)域,改變工作介質(zhì),還可沉積其他類型的薄膜。
聲明:
“用塵埃等離子體在常溫下沉積碳化硅薄膜的裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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