本發(fā)明提供一種識別AlGaN/GaN?HEMTs中電活性輻射缺陷分布區(qū)域的方法,包括:測試AlGaN/GaN?HEMTs的
電化學性能,確定器件的開態(tài)、半開態(tài)和關態(tài)的柵極電壓范圍;在不同柵極電壓下對AlGaN/GaN?HEMTs進行深能級缺陷測試;分析不同柵極電壓條件下AlGaN/GaN?HEMTs中電活性輻射缺陷的分布區(qū)域。本發(fā)明提供的識別AlGaN/GaN?HEMTs中電活性輻射缺陷分布區(qū)域的方法既能夠確定缺陷濃度,還能夠確定缺陷的位置,且步驟簡單,易于操作,對材料和器件空間環(huán)境效應具有重大的意義。
聲明:
“識別AlGaN/GaN-HEMTs中電活性輻射缺陷分布區(qū)域的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)