從硅片前表面提取無機離子污染物以供化學分析的方法和裝置。該硅片放在一個容器內的支座上,使硅片水平放置并把硅片隔離以防止前表面上方空氣流動,空氣流動可以把污染帶入提取液,從而引起在硅片上污染的錯誤測量。在硅片前表面上沉積一層提取液,并維持一段時間以使前表面的污染被提取到液層中。一部分液層用取樣機構收集以供以后的分析。
聲明:
“用于單側晶片的離子提取的方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)