晶體生長裝置由真空容器(10)、加熱燈(12)、對加熱燈(12)進行控制的燈控制器(13)、氣體通入口(14)、調(diào)節(jié)氣體流量的流量調(diào)節(jié)器(15)、測量襯底溫度的高溫計(19)、將乙
硅烷等氣體供到真空容器(10)的供氣單元(30)組成。橢圓偏振光譜測量裝置由光源(20)、起偏器(21)、調(diào)制器(22)、分析器(24)、分光儀/檢測單元(25)以及計算Ψ、△的分析控制裝置(26)組成。在去除襯底上的化學(xué)氧化膜時,通過現(xiàn)場橢圓偏振光譜測量,來識別氧化膜覆蓋襯底面的phase 1和襯底的一部分已經(jīng)露出來的phase 2,從而向各phase適當?shù)靥峁┖屯9怏w。
聲明:
“半導(dǎo)體器件的制造裝置及制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)