本發(fā)明提供包括不含鉛的強(qiáng)介電材料的壓電體薄膜,即,表現(xiàn)出與鋯鈦酸鉛(PZT)同等水平的高壓電性能的壓電體薄膜及其制造方法,本發(fā)明的壓電體薄膜具備有(001)取向的LaNiO3膜、由有(001)取向,用化學(xué)式ABO3(A用(Bi,Na)1-xCx(0≤x<1)表示,B是Ti或者TiZr,C是Na以外的堿金屬)表示的化合物構(gòu)成的界面層、有(001)取向的(Bi,Na,Ba)TiO3膜,順序疊層所述LaNiO3膜、所述界面層以及所述(Bi,Na,Ba)TiO3膜。
聲明:
“壓電體薄膜及其制造方法、噴墨頭、使用噴墨頭形成圖像的方法、角速度傳感器、使用角速度傳感器測定角速度的方法、壓電發(fā)電元件以及使用了壓電發(fā)電元件的發(fā)電方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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