本發(fā)明公開了一種基于硅納米線陣列的自驅(qū)動肖特基結近紅外光電探測器及其制備方法,其特征在于:是在硅基底的表面通過銀輔助的化學刻蝕法形成有硅納米線陣列;在硅納米線的外表面通過液相還原反應均勻包覆有金屬銅膜;金屬銅膜與硅納米線形成肖特基結;在硅基底的背面刷涂有In/Ga導電膠層,與硅基底形成歐姆接觸。本發(fā)明的肖特基結近紅外光電探測器,制備過程簡單易行,器件性能優(yōu)越。
聲明:
“基于硅納米線陣列的自驅(qū)動肖特基結近紅外光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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