本申請公開了一種新型的長波紅外探測器,涉及半導體領域。本申請是一種基于平面結構的pπMp型銻化物二類超晶格紅外探測器的新型結構,InAs/GaSb超晶格結構作為接觸層和吸收層,InAs/GaSb/AlSb/GaSb超晶格結構作為勢壘層,所述接觸層、所述吸收層和所述勢壘層均為p型區(qū)域。本申請對勢壘層材料進行了篩選,并對器件各層進行優(yōu)化,在保證量子效率的前提下有效抑制了暗電流水平,保證了器件的工作性能。本申請含有T2SL結構體系可以采用分子束外延和金屬有機物化學沉積等外延生長工具制備,制備工藝簡單。
聲明:
“新型的長波紅外探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)