本發(fā)明提供了一種探測(cè)二維材料晶界的方法。所述方法將二維材料利用化學(xué)氣相沉積等方法覆蓋在金屬箔片表面,高溫條件下含氧氛圍中緩慢加熱,使得缺陷下的銅被氧化,從而在光學(xué)顯微鏡下即可看到不同襯度。本發(fā)明提出的方法,通過(guò)非常簡(jiǎn)單的操作,在光學(xué)顯微鏡下即可觀測(cè)到二維材料的晶界。
聲明:
“探測(cè)二維材料晶界的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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