一種具有
石墨烯透明電極的碳化硅雪崩光電探測器,涉及半導體光電探測器。設有襯底,在襯底上依次設有同質的第一N型外延緩沖層、N?型外延吸收層、第二N型外延倍增層和P+型歐姆接觸層;在P+型歐姆接觸層表面通過電熱分解法生長的多層石墨烯透明電極層,采用光刻掩膜技術和ICP刻蝕工藝刻蝕一高度從石墨烯層表面到第一N型外延緩沖層表面,使得P+型歐姆接觸層、第二N型外延倍增層和N?型外延吸收層為圓臺,通過等離子體增強化學氣相沉積法生長一致密的SiOx/Si3N4保護鈍化層。在N+型襯底的背面濺射N型歐姆接觸電極,并在SiOx/Si3N4保護鈍化層上通過光刻工藝刻蝕出焊盤窗口并制備石墨烯透明電極層的焊盤。
聲明:
“具有石墨烯透明電極的碳化硅雪崩光電探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)