本發(fā)明涉及一種金電極與碲鋅鎘晶片接觸電阻率的測(cè)試方法。本發(fā)明利用探測(cè)器用碲鋅鎘晶體材料尺寸要求,采用環(huán)體材料的線型電極制備不同間距的傳輸環(huán),并結(jié)合化學(xué)沉積金電極的靈活性及與碲鋅鎘良好的歐姆接觸特性,有效避免樣品臺(tái)面和電極接觸的余量引入寄生電阻,同時(shí)仍然可利用簡(jiǎn)易的線性傳輸模型計(jì)算模型進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,而且測(cè)得的接觸電阻率更全面地反映體材料各個(gè)面的表面狀態(tài)對(duì)接觸電阻率的影響。
聲明:
“金電極與碲鋅鎘晶片接觸電阻率的測(cè)試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)