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基于帶內(nèi)躍遷的PbSe量子點中長波紅外光電探測器及其制作方法

870 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 07:28:48

本發(fā)明公開了基于帶內(nèi)躍遷的PbSe量子點中長波紅外光電探測器及其制作方法，PbSe納米品體膠體表現(xiàn)出良好的激子結構，能量激子調(diào)諧從0.5到1eV，這是尺寸的函數(shù)。帶邊熒光從1.2到24m觀察到，斯托克斯位移小，亞ns壽命，接近統(tǒng)一量子產(chǎn)額。在1.064nm泵浦時，第一激子衰減與低泵浦強度下的輻射弛豫和較高泵浦強度下的俄歇復合一致。在大約中隙處觀察到光學誘導吸收。硒化鉛(PbSe)量子點具有寬紅外光譜調(diào)控范圍、高熒光量子產(chǎn)率和可溶液加工等特點,殼層的包覆是有效提升PbSe量子點光學特性和化學穩(wěn)定性的策略之一,是推動PbSe量子點應用發(fā)展的研究方向。本發(fā)明設計的PbSe核殼量子點在光電探測﹑太陽能電池、激光器和光催化等領域具有很高的應用價值。

聲明：

“基于帶內(nèi)躍遷的PbSe量子點中長波紅外光電探測器及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)