本實(shí)用新型公開了一種長波III?V族紅外探測器,所述紅外探測器結(jié)構(gòu)包括襯底、緩沖層、吸收層和帽層;其中,所述吸收層的材料為非故意摻雜的BInAsSbBi,所述非故意摻雜的BInAsSbBi的組分結(jié)構(gòu)滿足:BxIn1?xAs1?y?zSbyBiz,其中,x≥0.1,0.4≤y≤0.7,0.01≤z≤0.06。本實(shí)用新型通過滿足適當(dāng)組分要求的BInAsSbBi材料作為吸收層來制備長波III?V族紅外探測器,獲得了較好的化學(xué)穩(wěn)定性,在保證耐熱性的同時(shí)具有較高的吸收系數(shù),能夠保持與襯底較小的晶格失配,從而提升了探測器性能。
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“長波III-V族紅外探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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