本發(fā)明公開了一種原位光電測(cè)試裝置，涉及半導(dǎo)體材料測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，包括反應(yīng)爐、激光發(fā)射結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述反應(yīng)爐內(nèi)設(shè)置有承載結(jié)構(gòu)，所述承載結(jié)構(gòu)用于承載樣品材料，所述激光發(fā)射結(jié)構(gòu)通過(guò)所述反應(yīng)爐的一端照射向所述承載結(jié)構(gòu)上的樣品材料，所述承載結(jié)構(gòu)上的樣品材料與所述電學(xué)性能測(cè)試結(jié)構(gòu)電連接。本發(fā)明通過(guò)激光發(fā)射結(jié)構(gòu)引入不同波長(zhǎng)的可見光及紫外光，實(shí)現(xiàn)光催化或者光生電流，能夠以原位的方式對(duì)光化學(xué)氣相沉積過(guò)程中樣品材料的生長(zhǎng)、物相變化、結(jié)晶生長(zhǎng)等過(guò)程進(jìn)行實(shí)時(shí)光電性能進(jìn)行表征與研究。