本發(fā)明公開了一種用于紫外光電探測器的MgZnO納米線陣列的制備方法,包括:采用雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積管式爐,低溫區(qū)為鎂源,溫度為500?900℃;高溫區(qū)為鋅源,溫度為850?1100℃,鋅源為氧化鋅和碳粉的混合物;調(diào)整雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積管式爐的升溫速率為10℃/min,通入純度為99.99%的氮?dú)夂图兌葹?9.99%的氧氣的混合載氣,當(dāng)?shù)蜏貐^(qū)、高溫區(qū)達(dá)到各自的溫度后,保溫20?30min,關(guān)斷混合載氣,然后抽真空、自然冷卻到室溫,得到MgZnO納米線陣列。本發(fā)明通過用雙溫區(qū)氣相沉積法制備納米線,不需要提前制備種子層,完全是無催化劑條件,在20?30min內(nèi)即可制備成功,實現(xiàn)了納米線在無催化條件下的快速自生長,耗時短,操作簡單。
聲明:
“用于紫外光電探測器的MgZnO納米線陣列的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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