本發(fā)明公開了一種非制冷紅外探測陣列用自摻雜硅鍺/硅多量子阱結(jié)構(gòu)并具有較高溫度電阻系數(shù)的熱敏材料。材料包括底部接觸層、底部隔離層、硅鍺/硅多量子阱結(jié)構(gòu)、頂部隔離層和頂部接觸層。當(dāng)隔離層厚度為35~100nm,硼粒子由接觸層自擴(kuò)散至硅鍺/硅多量子阱結(jié)構(gòu)中,并形成載流子。該種設(shè)計(jì)簡化了工藝過程,有利于制備晶格質(zhì)量較高的硅鍺/硅多量子阱結(jié)構(gòu)。另外,本發(fā)明公開了該種材料所應(yīng)用的一種非制冷紅外探測陣列的像元結(jié)構(gòu)。雙支撐層的厚度均為200nm~250nm,在滿足光學(xué)條件的情況下使得像元結(jié)構(gòu)更為穩(wěn)定。本發(fā)明還公開了該種材料的一種基于低壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)的外延生長工藝過程。
聲明:
“非制冷紅外探測陣列用自摻雜硅鍺/硅多量子阱熱敏材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)