本發(fā)明提供一種ZnMgGaO紫外探測(cè)器及其制備方法,其中的方法包括:S1、以有機(jī)鋅化合物作為鋅源,以有機(jī)鎂化合物作為鎂源,有機(jī)鎵化合物作為鎵源,以高純氧氣為氧源,利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法在襯底的表面生長ZnMgGaO薄膜;S2、在ZnMgGaO薄膜上使用負(fù)膠光刻形成叉指電極掩膜,濺射金屬后將叉指電極掩膜去除,形成叉指電極;S3、在叉指電極上按壓In粒,得到MSM結(jié)構(gòu)的ZnMgGaO紫外探測(cè)器。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明使用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法制備ZnMgGaO薄膜,通過增加氧氣流量、增加氧分壓、減少氧缺陷的方式,使得制備的ZnMgGaO薄膜具有結(jié)晶質(zhì)量高、不出現(xiàn)分相、吸收截止邊陡峭等特點(diǎn),進(jìn)而使包含ZnMgGaO薄膜的紫外探測(cè)器具有較低的暗電流和較快的光響應(yīng)速度。
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“ZnMgGaO紫外探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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