本發(fā)明涉及一種具有全波長(zhǎng)的光探測(cè)器及制備方法，該光探測(cè)器包括：一基底，在基底上生長(zhǎng)一層ZnO或La1－xSrxMnO3膜，再在ZnO或La1－xSrxMnO3膜上生長(zhǎng)一層La1－xSrxMnO3或ZnO膜形成異質(zhì)結(jié)，ZnO/La1－xSrxMnO3異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)與基底一起構(gòu)成光探測(cè)器的芯片；所述的第一電極設(shè)置在ZnO膜上，第二電極設(shè)置在La1－xSrxMnO3膜上，第一電極引線和第二電極引線連接在電極上；所述的La1－xSrxMnO3，其中x為0.01－0.5。該器件采用常規(guī)分子束外延、脈沖激光淀積、化學(xué)氣相沉積、濺射、物理氣相沉積或超聲噴霧的方法和設(shè)備，在基底上進(jìn)行制備異質(zhì)結(jié)形成光探測(cè)器芯片。當(dāng)光照射探測(cè)器后直接產(chǎn)生電壓信號(hào)，不需要任何輔助的電源和電子電路。其響應(yīng)波段從紫外到遠(yuǎn)紅外，光生電壓信號(hào)可達(dá)近百mV。