本發(fā)明公開了一種探測光電材料微區(qū)光電性能的方法,涉及光
電化學技術領域。本發(fā)明以掃描電化學顯微鏡裝置為基礎,通過采用光纖微探針和微電極探針,在光電化學池中通過精確掃描樣品微區(qū)(包括晶粒和晶界等),從而獲得材料微區(qū)光電化學性能。本發(fā)明的一種探測光電材料微區(qū)光電性能的方法可以測量出材料微區(qū)的不同表面微觀形貌對應的光電性能差異,以及探測晶界及不同晶粒取向的光電性能分布,解決了傳統(tǒng)方法上只能測量材料整體宏觀光電性質的局限,對光電轉化機制研究和工藝性能改進具有重要的指導意義。
聲明:
“探測光電材料微區(qū)光電性能的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)