本發(fā)明公開了一種等離子體刻蝕測量有機(jī)膜深度方向上組分分布的方法,包括步驟:1)在光滑平整的氟化鈣襯底上制備有機(jī)膜,且有機(jī)膜厚度至少大于20納米;2)利用傅里葉紅外光譜儀測試有機(jī)膜的紅外振動(dòng)光譜;3)利用等離子體逐層刻蝕有機(jī)膜,等離子體放電功率范圍20?200瓦,等離子體氣壓為1?30帕斯卡;刻蝕發(fā)生在有機(jī)膜表面并逐步減小薄膜的厚度,其后按刻蝕先后順序原位檢測和記錄有機(jī)膜的紅外振動(dòng)光譜圖,直到有機(jī)膜被完全刻蝕掉;4)利用測得的不同厚度的共混有機(jī)膜的紅外光譜圖,使得相鄰紅外光譜圖的特征峰吸光度相減,依次計(jì)算和得到各個(gè)亞層中每個(gè)組分的特征官能團(tuán)或化學(xué)鍵的吸光度的大小,以此來作為組分分布計(jì)算的依據(jù)。
聲明:
“等離子體刻蝕測量有機(jī)膜深度方向上組分分布的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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