2O3薄膜基日盲紫外探測(cè)器、制備方法及應(yīng)用,化學(xué)分析"> 2O3薄膜基日盲紫外探測(cè)器、制備方法及應(yīng)用,本發(fā)明屬于高壓輸變電設(shè)備的安全檢測(cè)領(lǐng)域,具體涉及一種Ga2O3薄膜基日盲紫外探測(cè)器、制備方法及應(yīng)用,所述制備方法包括以(0001)面Al2O3為襯底,以三甲基鎵為鎵源,等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在(0001)面Al2O3襯底上生長(zhǎng)一層β?Ga2O3膜層,在β?Ga2O3膜層上方磁控濺射形成Au/Ti叉指電極。本發(fā)明的Ga2O3基的電暈檢測(cè)裝置具有響應(yīng)速度快、分辨率高、作用距離遠(yuǎn)、不受太陽(yáng)光的干擾、可準(zhǔn)確定位等優(yōu)點(diǎn),特別合適用于高壓變電系統(tǒng)、高壓輸電線路等各種">

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Ga2O3薄膜基日盲紫外探測(cè)器、制備方法及應(yīng)用

1011   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:22:36
本發(fā)明屬于高壓輸變電設(shè)備的安全檢測(cè)領(lǐng)域,具體涉及一種Ga2O3薄膜基日盲紫外探測(cè)器、制備方法及應(yīng)用,所述制備方法包括以(0001)面Al2O3為襯底,以三甲基鎵為鎵源,等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在(0001)面Al2O3襯底上生長(zhǎng)一層β?Ga2O3膜層,在β?Ga2O3膜層上方磁控濺射形成Au/Ti叉指電極。本發(fā)明的Ga2O3基的電暈檢測(cè)裝置具有響應(yīng)速度快、分辨率高、作用距離遠(yuǎn)、不受太陽(yáng)光的干擾、可準(zhǔn)確定位等優(yōu)點(diǎn),特別合適用于高壓變電系統(tǒng)、高壓輸電線路等各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。對(duì)架空輸電線路和變電設(shè)備產(chǎn)生的電暈進(jìn)行探測(cè)具有極大的商業(yè)價(jià)值。
聲明:
“Ga2O3薄膜基日盲紫外探測(cè)器、制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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