用于內(nèi)部稀薄氣流模擬驗證及壓力檢測的變結(jié)構(gòu)真空腔室屬于半導(dǎo)體制造設(shè)備設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域。包括上蓋、勻氣盤、腔體、可替換內(nèi)襯、內(nèi)襯支架、基座、排氣裝置、流場檢測空間以及氣壓檢測引管，所述流場檢測空間為圓柱形，圓柱體的直徑可通過更換所述可替換內(nèi)襯進(jìn)行調(diào)節(jié)，圓柱體的高度可通過基座的升降進(jìn)行調(diào)節(jié)，進(jìn)而改變所述流場檢測空間的結(jié)構(gòu)尺寸。該結(jié)構(gòu)可用于進(jìn)行刻蝕、等離子體增強(qiáng)/化學(xué)氣相沉積(PE/CVD)、物理氣相沉積(PVD)以及氧化擴(kuò)散工藝等具有腔室類共同特點的低壓氣相加工工藝試驗?？梢詸z測不同結(jié)構(gòu)腔室內(nèi)部空間及各氣路上的壓力參數(shù)，研究低壓氣相加工工藝中各項參數(shù)的影響規(guī)律，并可顯著提高IC裝備腔室部件優(yōu)化設(shè)計的可信度。