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聚吡咯包覆鈷酸鎳納米線陣列石墨烯電極的制備方法及檢測(cè)重金屬鉛離子的應(yīng)用

1075   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:11:26
本發(fā)明涉及聚吡咯包覆鈷酸鎳納米線陣列石墨烯電極的制備方法及檢測(cè)重金屬鉛離子的應(yīng)用。先利用水熱釜進(jìn)行氧化石墨烯的水熱反應(yīng),得到具有三維結(jié)構(gòu)的3D石墨烯電極,而后利用第二次水熱過程,在3D石墨烯電極表面生長(zhǎng)NiCo2O4納米線陣列。使用化學(xué)氣相聚合的方法在NiCo2O4納米線陣列表面包覆一層極薄的導(dǎo)電聚合物聚吡咯層;得到最終的聚吡咯包覆NiCo2O4納米線陣列石墨烯電極,電極用于重金屬Pb2+的檢測(cè)。基于NiCo2O4@PPy/3D石墨烯構(gòu)建的傳感器靈敏度為115.621μA?μM?1,線性范圍為0.0125to?0.709μM,最低檢測(cè)限為0.2nM,傳感器具有良好的抗干擾性和穩(wěn)定性。
聲明:
“聚吡咯包覆鈷酸鎳納米線陣列石墨烯電極的制備方法及檢測(cè)重金屬鉛離子的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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