提出用于制造輻射檢測結(jié)構(gòu)的方法。所述方法包括(例如):制造輻射檢測結(jié)構(gòu),所述制造包括:提供半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底具有從其表面延伸到所述半導(dǎo)體襯底中的多個凹腔;及將輻射檢測材料的輻射檢測粒子電泳式沉積至延伸到所述半導(dǎo)體襯底中的所述多個凹腔中,其中所述電泳式沉積用所述輻射檢測粒子填充所述多個凹腔。在一個實施例中,所述提供可包括
電化學(xué)蝕刻所述半導(dǎo)體襯底以形成延伸到所述半導(dǎo)體襯底中的所述多個凹腔。另外,所述提供可進一步包括用多個表面缺陷區(qū)域圖案化所述半導(dǎo)體襯底的所述表面,且所述電化學(xué)蝕刻可包括使用所述多個表面缺陷區(qū)域來便于穿過所述多個表面缺陷區(qū)域電化學(xué)蝕刻到所述半導(dǎo)體襯底中,以形成所述多個凹腔。
聲明:
“制造輻射檢測結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)