大尺寸砷化鎵單晶結(jié)構(gòu)的缺陷檢測(cè)方法，包括研 磨，拋光：機(jī)械拋光或化學(xué)拋光，采用化學(xué)拋光液配方為硫酸∶ 雙氧水∶水＝3∶1∶1；位錯(cuò)腐蝕，將氫氧化鉀放在銀坩堝內(nèi) 加熱，使氫氧化鉀熔化加熱至澄清狀態(tài)時(shí)即放入晶片試樣進(jìn)行 腐蝕，然后取出試樣，冷卻后用清水沖洗，吹干；進(jìn)行測(cè)量方 向、測(cè)量點(diǎn)位置、數(shù)目和測(cè)量視場(chǎng)、觀察視場(chǎng)面積的選取，第 一個(gè)測(cè)量點(diǎn)選取在距晶片邊緣的D/10mm處，其它測(cè)量點(diǎn)每間 隔10mm為一個(gè)測(cè)量視場(chǎng)；最后對(duì)選取的測(cè)量點(diǎn)進(jìn)行計(jì)算。本 發(fā)明能夠準(zhǔn)確檢測(cè)大尺寸砷化鎵的結(jié)構(gòu)缺陷，擴(kuò)大了位錯(cuò)密度 檢測(cè)范圍，不僅對(duì)砷化鎵單晶、晶向進(jìn)行檢測(cè)，還 可以對(duì)晶向進(jìn)行檢測(cè)，操作簡便、節(jié)省時(shí)間。