本發(fā)明公開(kāi)一種用于高靈敏度檢測(cè)紅霉素的3D鎳金合金納米簇印跡修飾電極,依次按照如下步驟的方法制成:首先在電極表面沉積3D鎳金合金納米簇,然后利用可見(jiàn)光引發(fā)ATRP聚合的方法,在存在紅霉素的情況下將聚丙烯酰胺修飾在電極表面,除去紅霉素后,制得3D鎳金合金納米簇印跡修飾電極。本發(fā)明應(yīng)用于
電化學(xué)傳感器檢測(cè)紅霉素,具有檢測(cè)速度快、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn),對(duì)紅霉素標(biāo)準(zhǔn)溶液檢測(cè)的線性范圍是1.0×10
-9~1.0×10
-1?mg/L,檢測(cè)限為4.799×10
-10?mg/L(LOD,S/N=3)。
聲明:
“用于高靈敏度檢測(cè)紅霉素的3D鎳金合金納米簇印跡修飾電極” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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