公開(kāi)了單晶CVD金剛石材料,該材料包含通過(guò)二次離子質(zhì)譜法(SIMS)測(cè)量的至少3ppm的總氮濃度;和低的光學(xué)雙折射,使得:在具有至少1.3mm×1.3mm面積的該單晶CVD金剛石材料的樣品中,并且使用在1×1μm
2至20×20μm
2范圍內(nèi)的面積的像素尺寸測(cè)量,Δn
[平均]的最大值不超過(guò)1.5×10
?4,其中Δn
[平均]是將對(duì)于與慢軸和快軸平行偏振的光而言的折射率之差遍及樣品厚度取平均的平均值。還公開(kāi)了制備該材料的方法。
聲明:
“通過(guò)化學(xué)氣相沉積的單晶合成金剛石材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)