一種半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域的基于化學(xué)刻蝕的單晶硅表面結(jié)構(gòu)及其制備及應(yīng)用方法,該單晶硅表面結(jié)構(gòu)的表面為絨面且均勻分布有高度為1-3μm的金字塔結(jié)構(gòu),該金字塔結(jié)構(gòu)的尖銳的棱邊被平滑化且沒有尖銳的頂角和棱邊的單晶硅表面形貌。本發(fā)明通過對其少子壽命、表面反射率等參數(shù)的測量,發(fā)現(xiàn)其效果更優(yōu)于普通堿液制絨的金字塔絨面。
聲明:
“基于化學(xué)刻蝕的單晶硅表面結(jié)構(gòu)及其制備及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)