本發(fā)明提供一種基于化學(xué)增強(qiáng)光刻膠及電子束曝光的掩模版的制造方法,包括步驟:步驟1),于掩模版上形成正型化學(xué)增強(qiáng)光刻膠,對所述光刻膠進(jìn)行曝光;步驟2),對曝光后的光刻膠進(jìn)行前烘及冷卻;步驟3),對所述光刻膠進(jìn)行顯影形成圖形光刻膠,并對所述掩模版進(jìn)行濕法腐蝕以形成圖形掩模版;步驟4),去除所述圖形光刻膠;以及步驟5),對所述圖形掩模版進(jìn)行關(guān)鍵尺寸測量。本發(fā)明取消了傳統(tǒng)后烘和打膠兩個(gè)步驟,將傳統(tǒng)工藝中獨(dú)立的兩個(gè)程序顯影和腐蝕合并成了連續(xù)的步驟,并考慮到取消了后烘和打膠兩個(gè)步驟,將顯影時(shí)間下降一部分以補(bǔ)償關(guān)鍵尺寸的變化趨勢,使得最終的線寬保持在一個(gè)良好的范圍,大大簡化了整個(gè)工藝流程,并大大提高了產(chǎn)品良率。
聲明:
“基于化學(xué)增強(qiáng)光刻膠及電子束曝光的掩模版的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)